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《科创板日报》12日讯,SK海力士近日通过发表在IEEE(电气与电子工程师协会)人人半导体大会上的论文,提议了一种新式半导体结构。该结构接受了HBM和HBF两种本事,公司将8个HBM3E和8个HBF置于Blackwell旁进行施行,开云app效力标明,与单独使用HBM比拟,这种建立不错将每瓦筹算性能普及高达2.69倍。 (韩国经济日报)